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BP86226P

内部集成650V高压MOSFET

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BP86226P是一款集成超低待机功耗准谐振原边节造器，并集成650V高雪崩能力功率MOSFET，用于高机能、表围元器件精简的内置电源。合用于全电压领域85~265VAC输入的反激式变换器利用。 BP86226P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM 两种工作模式。内置高压启动，稳态时由辅助绕组供电，可实现芯片空载损耗(230VAC)幼于100mW。选取准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术共同提高效能并解除音频噪声，频率技术可实现较好的EMI个性。

优势

内部集成650V高压MOSFET

集成高压启动和自供电电路

低待机功耗

峰值电流赔偿职能

内置软启动职能

改善EMI抖频职能

利用领域