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BP87526 是一款高机能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激原边驱动芯片。内置 650V 高压 MOSFET，集成高压启动、高压辅助供电电路，合用于高效能、幼体积、高靠得住性、宽输出电压领域的 35~55W 反激变换器利用。 BP87526 支持自适应 COT 节造方式，接管和解调配对的副边节造器发送到原边的脉冲信号，同时检测原边漏极电压谷底，节造原边功率管的开明，实现较高的效能。
Advantage

    内置650V 高压 MOSFET

    集成高压启动

    150 V 辅助供电耐压，满足宽输出电压领域

    自适应 COT 节造，急剧的动态响应

    磁耦通讯实现超低待机功耗，<30 mW

    QR 谷底开明，优化效能和 EMI 个性

    最高可达 140 kHz 开关频率

    满足 LPS (Limit Power Source) 安规要求

    完整的；ぶ澳

Application area
  • USB PD、QC 充电器
  • 可编程 AC/DC 充电器
  • 笔记本电脑适配器
Technical documents
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Specification sheet BP87526 pdf Easy version Full version
1748932038544
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